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參數資料
| 型號： | IPS04N03LA |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS 2功率晶體管 |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 434K |
| 代理商： | IPS04N03LA |
IPD04N03LA IPF04N03LA
IPS04N03LA IPU04N03LA
Opti
MOS
2 Power-Transistor
Features
Ideal for high-frequency dc/dc converters
Qualified according to JEDEC
1)
for target applications
N-channel, logic level
Excellent gate charge x
R
DS(on)
product (FOM)
Superior thermal resistance
175 °C operating temperature
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous drain current
I
D
T
C
=25 °C
2)
50
A
T
C
=100 °C
50
Pulsed drain current
I
D,pulse
T
C
=25 °C
3)
350
Avalanche energy, single pulse
E
AS
I
D
=40 A,
R
GS
=25
890
mJ
Reverse diode d
v
/d
t
d
v
/d
t
I
D
=50 A,
V
DS
=20 V,
d
i
/d
t
=200 A/μs,
T
j,max
=175 °C
6
kV/μs
Gate source voltage
4)
V
GS
±20
V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
115
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... 175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
Value
V
DS
25
V
R
DS(on),max
(SMD version)
3.8
m
I
D
50
A
Product Summary
Type
IPD04N03LA
IPF04N03LA
IPS04N03LA
IPU04N03LA
Package
P-TO252-3-11
P-TO252-3-23
P-TO251-3-11
P-TO251-3-21
Ordering Code
Q67042-S4177
Q67042-S4197
Q67042-S4243
Q67042-S4198
Marking
04N03LA
04N03LA
04N03LA
04N03LA
Rev. 1.8
page 1
2004-05-19
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPU04N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IPF04N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IPD04N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IPS06N03LA | Circular Connector; No. of Contacts:61; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Solder; Connector Shell Size:24; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Straight Plug; Insert Arrangement:24-61 |
| IPU06N03LA | Circular Connector; Body Material:Aluminum; Series:PT06; Number of Contacts:3; Connector Shell Size:8; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Straight Plug; Circular Contact Gender:Socket; Insert Arrangement:8-33 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IPS04N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IPS04N03LAG | 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IPS04N03LAGXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251 |
| IPS04N03LB G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IPS04N03LBG | 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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