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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IPT130 |
| 英文描述： | TRIAC|100V V(DRM)|30A I(T)RMS|PRESS-19 |
| 中文描述： | 可控硅| 100V的五（DRM）的| 30A條口（T）的有效值|新聞- 19 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | IPT130 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPT140 | TRIAC|100V V(DRM)|40A I(T)RMS|PRESS-19 |
| I3PT030 | TRIAC|50V V(DRM)|30A I(T)RMS|FBASE-R-HW30 |
| I3PT040 | TRIAC|50V V(DRM)|40A I(T)RMS|FBASE-R-HW30 |
| I3PT130 | TRIAC|100V V(DRM)|30A I(T)RMS|FBASE-R-HW30 |
| I3PT140 | TRIAC|100V V(DRM)|40A I(T)RMS|FBASE-R-HW30 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IPT140 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|100V V(DRM)|40A I(T)RMS|PRESS-19 |
| IPT1606-BEA | 制造商:IPS 制造商全稱:IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. 功能描述:High current density due to double mesa technology |
| IPT1606-BEB | 制造商:IPS 制造商全稱:IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. 功能描述:High current density due to double mesa technology |
| IPT1606-CEA | 制造商:IPS 制造商全稱:IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. 功能描述:High current density due to double mesa technology |
| IPT1606-CEB | 制造商:IPS 制造商全稱:IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. 功能描述:High current density due to double mesa technology |
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