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參數資料
| 型號： | IPT230 |
| 英文描述： | TRIAC|200V V(DRM)|30A I(T)RMS|PRESS-19 |
| 中文描述： | 可控硅| 200伏五（DRM）的| 30A條口（T）的有效值|新聞- 19 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | IPT230 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPT240 | TRIAC|200V V(DRM)|40A I(T)RMS|PRESS-19 |
| IPT330 | TRIAC|300V V(DRM)|30A I(T)RMS|PRESS-19 |
| IPT340 | TRIAC|300V V(DRM)|40A I(T)RMS|PRESS-19 |
| IPT430 | TRIAC|400V V(DRM)|30A I(T)RMS|PRESS-19 |
| IPT440 | TRIAC|400V V(DRM)|40A I(T)RMS|PRESS-19 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IPT240 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|200V V(DRM)|40A I(T)RMS|PRESS-19 |
| IPT2400C | 制造商:Intel 功能描述: |
| IPT2506-BEA | 制造商:IPS 制造商全稱:IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. 功能描述:High current density due to double mesa technology |
| IPT2506-BEB | 制造商:IPS 制造商全稱:IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. 功能描述:High current density due to double mesa technology |
| IPT2506-BEH | 制造商:IPS 制造商全稱:IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. 功能描述:High current density due to double mesa technology |
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