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參數(shù)資料
型號: IRF1010
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五(巴西)直| 75A條(丁)| TO - 220AB現(xiàn)有
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大小: 377K
代理商: IRF1010
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF1010ESL
IRF1010NSTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 84A I(D) | TO-263AB
IRF1010NSTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 84A I(D) | TO-263AB
IRF1010S TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB
IRF1205
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF1010E 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220AB
IRF1010EHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 84A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube
IRF1010EL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 84A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF1010ELPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRF1010EPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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