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參數資料
型號: IRF1010NSTRR
廠商: International Rectifier
文件頁數: 10/11頁
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
標準包裝: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 55V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 85A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 11 毫歐 @ 43A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3210pF @ 25V
功率 - 最大: 180W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝: D2PAK
包裝: 帶卷 (TR)
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