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IRFN130SMD05	N-Channel
IRF1310NSTRL	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 42A I(D) \| TO-263AB
IRF1310NSTRR	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 42A I(D) \| TO-263AB
IRF1360	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 25A I(D) \| TO-259AA
IRF130SMD	N-Channel Power MOSFET(Vdss:100V,Id(cont):11A,Rds(on):0.19Ω)(N溝道功率MOS場效應(yīng)管(Vdss:100V,Id(cont):11A,Rds(on):0.19Ω))

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N-Channel

N-Channel Power MOSFET(Vdss:100V,Id(cont):11A,Rds(on):0.19Ω)(N溝道功率MOS場效應(yīng)管(Vdss:100V,Id(cont):11A,Rds(on):0.19Ω))

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IRF130SMD05N	制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N–CHANNEL POWER MOSFET FOR HI–REL APPLICATIONS
IRF131	制造商:. 功能描述:
IRF1310N	制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220
IRF1310NHR	制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 42A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-channel 100 V 160 W 110 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
IRF1310NL	功能描述:MOSFET N-CH 100V 42A TO-262 RoHS:否類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件

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IRF130SMD05N

制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N–CHANNEL POWER MOSFET FOR HI–REL APPLICATIONS

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功能描述:MOSFET N-CH 100V 42A TO-262 RoHS:否類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件

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型號：	IRF130SMD05
英文描述：	N-Channel
中文描述：	N溝道
文件頁數(shù)：	1/2頁
文件大小：	24K
代理商：	IRF130SMD05

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