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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF1404Z |
| 英文描述： | 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package |
| 中文描述： | 單40V的N溝道HEXFET功率MOSFET的在采用TO - 220AB封裝 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/9頁(yè) |
| 文件大小： | 181K |
| 代理商： | IRF1404Z |
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
40
80
120
160
200
ID
LIMITED BY PACKAGE
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
RD
ID = 75A
VGS = 10V
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
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PDF描述 |
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