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參數資料
| 型號： | IRF2204STRR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 40V的五（巴西）直| 170A條（?。﹟對263AB |
| 文件頁數： | 8/11頁 |
| 文件大小： | 224K |
| 代理商： | IRF2204STRR |
IRF2204S/IRF2204L
8
www.irf.com
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
[ ] ***
V
DD
[ ]
I
[ ]
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
*
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel
V
GS
***
V
GS
= 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 17.
For N-channel
HEXFET
power MOSFETs
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| IRF223 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF224 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF225 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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