- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360928 > IRF2807STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 82A I(D) | TO-263AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRF2807STRL |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 82A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 75V的五（巴西）直| 82A條（丁）|對263AB |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 151K |
| 代理商： | IRF2807STRL |
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
2. Peak T
= P
x Z
+ T
2
J
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
(
t
0.01
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
75
100
125
150
175
0
30
60
90
120
150
180
T , Case Temperature (°
I
D
LIMITED BY PACKAGE
Fig 10.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
-60
-40
-20
T , Junction Temperature
0
20
40
60
80
100
120
( C)
140
160
180
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
10V
175A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IRF2807STRRPBF | 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 106.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF2807Z | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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