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參數資料
| 型號： | IRF3007L |
| 英文描述： | 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package |
| 中文描述： | 75V的單個N -溝道HEXFET功率MOSFET的采用TO - 262封裝 |
| 文件頁數： | 5/11頁 |
| 文件大小： | 643K |
| 代理商： | IRF3007L |
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T , Junction Temperature
( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
10V
80A
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
10
20
30
40
50
60
70
ID
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
2. Peak T
= P
x Z
+ T
2
J
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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