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參數資料
| 型號： | IRF3007L |
| 英文描述： | 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package |
| 中文描述： | 75V的單個N -溝道HEXFET功率MOSFET的采用TO - 262封裝 |
| 文件頁數： | 9/11頁 |
| 文件大小： | 643K |
| 代理商： | IRF3007L |
www.irf.com
9
F530S
THIS IS AN IRF530S WITH
LOT CODE 8024
ASSEMBLED ON WW 02, 2000
IN THE ASSEMBLY LINE "L"
ASSEMBLY
LOT CODE
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
PART NUMBER
DATE CODE
YEAR 0 = 2000
WEEK 02
LINE L
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3007S | 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package |
| IRF3205STRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB |
| IRF3205STRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB |
| IRF3315L | 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package |
| IRF3315SL | |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF3007LPBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRF3007PBF | 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 12.6mOhms 89nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF3007S | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRF3007SPBF | 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 12.6mOhms 89nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF3007STRLPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:75V D2PAK - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH 75V 62A TO220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET 75V D2PAK |
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