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參數資料
| 型號： | IRF3007S |
| 英文描述： | 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package |
| 中文描述： | 75V的單個N -溝道HEXFET功率MOSFET的一項D2 - PAK封裝 |
| 文件頁數： | 6/11頁 |
| 文件大小： | 643K |
| 代理商： | IRF3007S |
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
TJ , Temperature ( °C )
1.0
2.0
3.0
4.0
-G
ID = 250μA
25
50
75
100
125
150
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
100
200
300
400
500
600
700
EA
ID
TOP 20A
34A
BOTTOM48A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3205STRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB |
| IRF3205STRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB |
| IRF3315L | 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package |
| IRF3315SL | |
| IRF3315S | Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF3007SPBF | 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 12.6mOhms 89nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF3007STRLPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:75V D2PAK - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH 75V 62A TO220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET 75V D2PAK |
| IRF3103 | 制造商:INTERFET 制造商全稱:INTERFET 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRF31N20DPBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述: |
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