型號: | IRF330R |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-204AA |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 400V五(巴西)直| 5.5AI(四)|對204AA |
文件頁數: | 1/1頁 |
文件大小: | 46K |
代理商: | IRF330R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IRF331R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-204AA |
IRF332R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-204AA |
IRF340R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-204AA |
IRF341R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-204AA |
IRF342R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 8.3A I(D) | TO-204AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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IRF3315 | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRF3315HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |