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參數資料
| 型號： | IRF3315S |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 150伏，的Rds（on）\u003d 0.082ohm，身份證\u003d 21A條） |
| 文件頁數： | 4/10頁 |
| 文件大小： | 197K |
| 代理商： | IRF3315S |
IRF3315S/L
1
10
100
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
20
Q , Total Gate Charge (nC)
40
60
80
100
0
4
8
12
16
20
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
12
V
= 30V
DS
V
= 75V
DS
V
= 120V
DS
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
0.1
1
10
100
0.2
0.5
0.8
1.1
1.4
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 175 C
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25 C
°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
A
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PDF描述 |
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