欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數(shù)資料
型號(hào): IRF3709ZCL
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 1/11頁
文件大小: 320K
代理商: IRF3709ZCL
www.irf.com
1
1/16/04
IRF3709ZCS
IRF3709ZCL
HEXFET Power MOSFET
V
DSS
R
DS(on)
max
30V
6.3m
Notes
through are on page 11
Applications
High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
Benefits
Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
Low Gate Charge
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
D
2
Pak
IRF3709ZCS
TO-262
IRF3709ZCL
Qg
17nC
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Units
V
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
A
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
W
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
W/°C
°C
T
J
T
STG
Soldering Temperature, for 10 seconds
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
1.89
40
Units
°C/W
R
θ
JC
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
79
40
0.53
Max.
30
87
62
350
± 20
300 (1.6mm from case)
-55 to + 175
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3709ZCS HEXFET Power MOSFET
IRF3710ZLPBF AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3710ZPBF AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3710ZSPBF AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3710 Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=23mohm, Id=57A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF3709ZCLPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A TO-262 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3709ZCS 功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3709ZCSPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRF3709ZCSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3709ZCSTRLP 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 87A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 87A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
主站蜘蛛池模板: 银川市| 略阳县| 横山县| 太谷县| 安岳县| 镇原县| 北宁市| 梅河口市| 呈贡县| 浑源县| 交口县| 喜德县| 阳朔县| 日照市| 万源市| 靖西县| 集安市| 无棣县| 枞阳县| 玉山县| 福清市| 崇文区| 屏东市| 曲麻莱县| 林芝县| 海宁市| 沙河市| 米林县| 湘潭市| 吉安市| 深水埗区| 浏阳市| 昌宁县| 嘉义县| 云霄县| 赫章县| 婺源县| 肃南| 虞城县| 甘德县| 黔江区|