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參數資料
| 型號： | IRF3709ZLPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 385K |
| 代理商： | IRF3709ZLPBF |
www.irf.com
1
6/30/04
IRF3709ZPbF
IRF3709ZSPbF
IRF3709ZLPbF
HEXFET Power MOSFET
V
DSS
R
DS(on)
max
30V
6.3m
Notes
through are on page 12
Applications
High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
Lead-Free
Benefits
Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
Low Gate Charge
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Qg
17nC
D
2
Pak
IRF3709ZS
TO-220AB
IRF3709Z
TO-262
IRF3709ZL
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Units
V
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
A
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
W
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
W/°C
°C
T
J
T
STG
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
1.89
40
Units
°C/W
R
θ
JC
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
300 (1.6mm from case)
10 lbf in (1.1N m)
-55 to + 175
79
40
0.53
Max.
30
87
62
350
± 20
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3709ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF3709ZSPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF3709ZL | HEXFET Power MOSFET |
| IRF3709ZS | HEXFET Power MOSFET |
| IRF3709Z | HEXFET Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF3709ZPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 87A 6.3mOhm 17nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF3709ZS | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF3709ZSPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH 6.3mOhm HEXFET 17nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF3709ZSTRL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF3709ZSTRLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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