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參數資料
| 型號： | IRF3711STRR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 20V的五（巴西）直|已廢除一（d）|對263AB |
| 文件頁數： | 4/10頁 |
| 文件大小： | 161K |
| 代理商： | IRF3711STRR |
IRL3705NS/L
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
3
6
9
12
15
0
20
40
60
80
100
120
140
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = 46A
V = 44V
V = 28V
10
100
1000
0.4
0.8
V , Source-to-Drain Voltage (V)
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
T = 25°C
V = 0V
GS
I
S
A
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10μs
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
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PDF描述 |
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