- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄360928 > IRF3808L (International Rectifier) Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=106A) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRF3808L |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=106A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 75V的，的Rds（on）\u003d 0.007ohm，身份證\u003d 106A章） |
| 文件頁數： | 4/11頁 |
| 文件大小： | 161K |
| 代理商： | IRF3808L |
IRF3808S/IRF3808L
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
C
100000
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
0.10
1.00
10.00
100.00
1000.00
IS
TJ = 25
°
C
TJ = 175
°
C
VGS = 0V
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
ID
Tc = 25
°
C
Tj = 175
°
C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
0
40
80
120
160
0
2
4
6
8
10
12
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I
=
D
82A
V
= 15V
DS
V
= 37V
DS
V
= 60V
DS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF4435 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
| IRF448 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9.6A I(D) | TO-204AA |
| IRF520CHIP | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.2A I(D) | CHIP |
| IRF520NL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.7A I(D) | TO-262 |
| IRF520NSTRL | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF3808LPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 106A TO-262 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF3808PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF3808S | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRF3808SPBF | 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF3808SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR POWER DISSIPATION:200W |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。