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參數資料
| 型號： | IRF3808STRL |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 106A I(D) | TO-262 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 75V的五（巴西）直| 106A章一（d）|至262 |
| 文件頁數： | 5/11頁 |
| 文件大小： | 161K |
| 代理商： | IRF3808STRL |
IRF3808S/IRF3808L
www.irf.com
5
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
10V
+
-
V
DD
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
25
50
75
100
125
150
175
0
20
40
60
80
100
120
T , Case Temperature
( °
I
D
LIMITED BY PACKAGE
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
2. Peak T
= P
x Z
+ T
2
J
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
T
(
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3808STRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 106A I(D) | TO-263AB |
| IRF3808L | Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=106A) |
| IRF4435 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
| IRF448 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9.6A I(D) | TO-204AA |
| IRF520CHIP | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.2A I(D) | CHIP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF3808STRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF3808STRR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 106A I(D) | TO-263AB |
| IRF3808STRRPBF | 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF3910 | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRF3N25 | 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET |
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