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參數資料
| 型號： | IRF3808STRR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 106A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 75V的五（巴西）直| 106A章一（d）|對263AB |
| 文件頁數： | 8/11頁 |
| 文件大小： | 161K |
| 代理商： | IRF3808STRR |
IRF3808S/IRF3808L
8
www.irf.com
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
[ ] ***
V
DD
[ ]
I
[ ]
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
*
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel
V
GS
***
V
GS
= 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 17.
For N-channel
HEXFET
power MOSFETs
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3808L | Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=106A) |
| IRF4435 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
| IRF448 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9.6A I(D) | TO-204AA |
| IRF520CHIP | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.2A I(D) | CHIP |
| IRF520NL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.7A I(D) | TO-262 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF3808STRRPBF | 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF3910 | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRF3N25 | 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET |
| IRF400 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED |
| IRF4000 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:IEEE 802.3af Compliant PoE Switch in Power Sourcing Equipment |
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