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參數資料
| 型號： | IRF449 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.6A I(D) | TO-204AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五（巴西）直| 8.6AI（四）|對204AA |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 400K |
| 代理商： | IRF449 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF462 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-204AE |
| IRF9143 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-204AA |
| IRF9242 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-204AA |
| IRF9243 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-204AA |
| IRF9240SM | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 8A I(D) | LLCC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF450 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO-3-3 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF450 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR |
| IRF450_10 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFET |
| IRF450R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-204AA |
| IRF451 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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