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參數資料
型號: IRF510PBF
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 1/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
產品目錄繪圖: IR(F,L)x Series Side 1
IR(F,L)x Series Side 2
標準包裝: 1,000
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 5.6A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 540 毫歐 @ 3.4A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 8.3nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 180pF @ 25V
功率 - 最大: 43W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應商設備封裝: TO-220AB
包裝: 管件
產品目錄頁面: 1528 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: *IRF510PBF
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