型號: | IRF510R |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-220AB |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五(巴西)直| 5.6AI(四)| TO - 220AB現有 |
文件頁數: | 1/1頁 |
文件大小: | 40K |
代理商: | IRF510R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IRF511R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-220AB |
IRF512R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 4.9A I(D) | TO-220AB |
IRF513R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4.9A I(D) | TO-220AB |
IRF520R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.2A I(D) | TO-220AB |
IRF521R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 9.2A I(D) | TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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IRF510S | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF510SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF510STRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF510STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF510STRR | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |