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參數資料
型號: IRF510R
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-220AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五(巴西)直| 5.6AI(四)| TO - 220AB現有
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 40K
代理商: IRF510R
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相關PDF資料
PDF描述
IRF511R TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-220AB
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參數描述
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IRF510SPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRF510STRLPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF510STRR 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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