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參數資料
| 型號： | IRF510SPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 343K |
| 代理商： | IRF510SPBF |
www.irf.com
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF520 | 9.2A, 100V, 0.270 Ohm,, N-Channel Power MOSFET(9.2A, 100V, 0.270 Ω,N溝道增強型功率MOS場效應管) |
| IRF530 | 14A, 100V, 0.160 Ohm, N-Channel Power MOSFET(14A, 100V, 0.160 Ohm,N溝道增強型功率MOS場效應管) |
| IRF540N | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| IRF540N | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A) |
| IRF540ZLPBF | AUTOMOTIVE MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF510STRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF510STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF510STRR | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF510STRRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF511 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:SUB ONLY ON SEMICONDUCTOR |
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