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參數資料
| 型號： | IRF520CHIP |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.2A I(D) | CHIP |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 9.2AI（四）|芯片 |
| 文件頁數： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | IRF520CHIP |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF520NL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.7A I(D) | TO-262 |
| IRF520NSTRL | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| IRF520NSTRR | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| IRF520S | |
| IRF520VSTRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.6A I(D) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF520FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
| IRF520L | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A) |
| IRF520N | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF520NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| IRF520NL | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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