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參數資料
型號: IRF5210STRL
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| P通道| 100V的五(巴西)直| 40A條(丁)|對263AB
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代理商: IRF5210STRL
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PDF描述
IRF5210STRR TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
IRF521FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB
IRF522FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220AB
IRF523FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220AB
IRF5305STRL TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB
相關代理商/技術參數
參數描述
IRF5210STRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 40A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRF5210STRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF5210STRLPBF-CUT TAPE 制造商:IR 功能描述:Single P-Channel 100 V 200 W 180 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
IRF5210STRR 功能描述:MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF5210STRRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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