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參數資料
型號: IRF5305STRR
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| P通道| 55V的五(巴西)直|第31A條(丁)|對263AB
文件頁數: 4/10頁
文件大小: 206K
代理商: IRF5305STRR
IRF5305S/L
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
500
1000
1500
2000
2500
1
10
100
C
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
0
4
8
12
16
20
0
10
20
30
40
50
60
Q , Total Gate Charge (nC)
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
V = -44V
V = -28V
I = -16A
G
-
10
100
1000
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T = 25°C
V = 0V
S
A
-
-V , Source-to-Drain Voltage (V)
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
-
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相關PDF資料
PDF描述
IRF530ND TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 17A I(D) | CHIP
IRF530N N-channel TrenchMOS transistor(N溝道 TrenchMOS 晶體管)
IRF540CHIP TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 28A I(D) | CHIP
IRF541FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220AB
IRF542FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220AB
相關代理商/技術參數
參數描述
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IRF530A 功能描述:MOSFET TO-220 N-Ch A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRF530FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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