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參數資料
| 型號： | IRF530ND |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 17A I(D) | CHIP |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 17A條（丁）|芯片 |
| 文件頁數： | 9/10頁 |
| 文件大小： | 206K |
| 代理商： | IRF530ND |
IRF5305S/L
www.irf.com
9
Package Outline
TO-262 Outline
TO-262
Part Marking Information
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF530N | N-channel TrenchMOS transistor(N溝道 TrenchMOS 晶體管) |
| IRF540CHIP | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 28A I(D) | CHIP |
| IRF541FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220AB |
| IRF542FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220AB |
| IRF543FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF530NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 17A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube |
| IRF530NL | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF530NLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
| IRF530NLPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 100V, 17A, 90 MOHM, 24.7 NC QG, TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 17A 3PIN TO-262 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A TO-262 |
| IRF530NLPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
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