- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360926 > IRF610R TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-220AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRF610R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 3.3AI（四）| TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 45K |
| 代理商： | IRF610R |
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF612R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | TO-220AB |
| IRF620A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB |
| IRF620CHIP | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | CHIP |
| IRF620R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB |
| IRF620S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5.2A I(D) | TO-263AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF610S | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF610S2497 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF610SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF610STRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF610STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。