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參數(shù)資料
| 型號： | IRF6216 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | SO |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 150伏五（巴西）直| 2.2AI（四）|蘇 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | IRF6216 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF621FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IRF622FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-220AB |
| IRF622R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IRF623FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-220AB |
| IRF624A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 4.1A I(D) | TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF6216PBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 240mOhms 33nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF6216PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P |
| IRF6216PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR TRANSISTOR POLARITY:P |
| IRF6216TR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF6216TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -150V -2.2A 240mOhm 33nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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