- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360927 > IRF627 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 275V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-220AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF627 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 275V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 275V五（巴西）直| 3.3AI（四）| TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | IRF627 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF630R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-220AB |
| IRF632R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
| IRF721R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-220AB |
| IRF723R | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| IRF733R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF630 | 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF630 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220 |
| IRF630 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N 200V 9A TO-220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET, N, 200V, 9A, TO-220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET, N, 200V, 9A, TO-220, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:9A, Drain Source Voltage Vds:200V, On Resistance Rds(on):400mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power Dissipation , RoHS Compliant: Yes |
| IRF630_06 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 200V - 0.35ヘ - 9A TO-220/TO-220FP Mesh overlay⑩ II Power MOSFET |
| IRF630_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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