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參數資料
| 型號： | IRF630FP |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO-220/FP MESH OVERLAY] MOSFET |
| 中文描述： | ? -通道200伏- 0.35ihm - 9A條- TO-220/FP網眼密胺] MOSFET的 |
| 文件頁數： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 97K |
| 代理商： | IRF630FP |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
IRF630, IRF630S
Fig.13. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.14. Maximum permissible non-repetitive
avalanche current (I
) versus avalanche time (t
AV
);
unclamped inductive load
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
Source-Drain Voltage, VSDS (V)
Source-Drain Diode Current, IF (A)
Tj = 25 C
175 C
VGS = 0 V
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
Avalanche time, t
AV
(ms)
Maximum Avalanche Current, I
AS
(A)
Tj prior to avalanche = 150 C
25 C
August 1999
6
Rev 1.100
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF630 | 9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| IRF630 | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A) |
| IRF630 | N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V |
| IRF640FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220VAR |
| IRF640ST4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF630H | 制造商:HAR 功能描述:IRF630 HARRIS |
| IRF630I | 制造商:IR 功能描述:IRF630 I.R. |
| IRF630L | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF630M | 制造商:ST 功能描述:N-CHANNEL 200V 0.35 OHM 9A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET |
| IRF630M_06 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 200V - 0.35ヘ - 9A - TO-220 /TO-220FP Mesh Overlay⑩ Power MOSFET |
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