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參數資料
| 型號： | IRF635 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 250V五（巴西）直| 6.5AI（四）| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 244K |
| 代理商： | IRF635 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF630S | N-channel TrenchMOS transistor |
| IRF630 | N-channel TrenchMOS transistor(N溝道 TrenchMOS 晶體管) |
| IRF630FP | N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO-220/FP MESH OVERLAY] MOSFET |
| IRF630 | 9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| IRF630 | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF636 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| IRF637 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 275V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-220AB |
| IRF640 | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF640,127 | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF640 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220 |
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