| 型號： | IRF640N |
| 廠商： | International Rectifier |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB |
| 標準包裝： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 200V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： | 18A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫歐 @ 11A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 67nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 1160pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | TO-220-3 |
| 供應商設備封裝： | TO-220AB |
| 包裝： | 管件 |
| 其它名稱： | *IRF640N |