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參數資料
型號: IRF640NL
廠商: International Rectifier
文件頁數: 4/12頁
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描述: MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
標準包裝: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 18A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 150 毫歐 @ 11A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 67nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1160pF @ 25V
功率 - 最大: 150W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
供應商設備封裝: TO-262
包裝: 管件
其它名稱: *IRF640NL
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