- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄360927 > IRF640R TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-220AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF640R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 18A條（丁）| TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | IRF640R |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF642R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-220AB |
| IRF647 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 275V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-220AB |
| IRF711R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
| IRF713R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 1.7A I(D) | TO-220AB |
| IRFF311R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 1.35A I(D) | TO-205AF |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF640S | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF640S2470 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF640S2497 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF640SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF640ST4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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