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參數(shù)資料
型號(hào): IRF6604TR1
廠商: International Rectifier
文件頁數(shù): 2/13頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
產(chǎn)品變化通告: (EP) Parts Discontinuation 25/May/2012
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1,000
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 12A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 11.5 毫歐 @ 12A,7V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2270pF @ 15V
功率 - 最大: 2.3W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: DirectFET? 等容 MQ
供應(yīng)商設(shè)備封裝: DIRECTFET? MQ
包裝: 帶卷 (TR)
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