| 型號(hào)： |
IRF6607TR1 |
| 廠(chǎng)商： |
International Rectifier |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
5/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET |
| 產(chǎn)品變化通告： |
(EP) Parts Discontinuation 25/May/2012
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1,000 |
| 系列： |
HEXFET® |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn)： |
邏輯電平門(mén)
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
30V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
27A
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
3.3 毫歐 @ 25A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
2V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
75nC @ 4.5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
6930pF @ 15V
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| 功率 - 最大： |
3.6W
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| 安裝類(lèi)型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
DirectFET? 等容 MT
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
DIRECTFET? MT
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| 包裝： |
帶卷 (TR)
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