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參數資料
型號: IRF6614TR1
廠商: International Rectifier
文件頁數: 10/10頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
產品變化通告: (EP) Parts Discontinuation 25/May/2012
標準包裝: 1,000
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 12.7A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8.3 毫歐 @ 12.7A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.25V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2560pF @ 20V
功率 - 最大: 2.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: DirectFET? 等容 ST
供應商設備封裝: DIRECTFET? ST
包裝: 帶卷 (TR)
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