| 型號(hào)： | IRF6655TR1 |
| 廠(chǎng)商： | International Rectifier |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/11頁(yè) |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH |
| 產(chǎn)品變化通告： | (PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 4.2A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 62 毫歐 @ 5A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 4.8V @ 25µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 11.7nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 530pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.2W |
| 安裝類(lèi)型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | DirectFET? 等容 SH |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | DIRECTFET? SH |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |