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參數資料
| 型號： | IRF7241 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | IRF7241 |
Parameter
Max.
-40
-6.2
-4.9
-25
2.5
1.6
20
± 20
Units
V
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
Drain- Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ -10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ -10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Junction and Storage Temperature Range
A
mW/°C
V
°C
V
GS
T
J,
T
STG
-55 to + 150
1/26/01
www.irf.com
1
IRF7241
HEXFET
Power MOSFET
PD- 94087
Absolute Maximum Ratings
W
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
G
S
A
D
S
S
V
DSS
-40V
R
DS(on)
max (m
41@V
GS
= -10V
70@V
GS
= -4.5V
)
I
D
-6.2A
-5.0A
SO-8
Symbol
R
θ
JL
R
θ
JA
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
20
50
Units
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
New trench HEXFET
Power MOSFETs from
International Rectifier utilize advanced processing
techniques to achieve extremely low on-resistance
per silicon area. This benefit, combined with the
ruggedized device design that HEXFET power
MOSFETs are well known for, provides the designer
with an extremely efficient and reliable device for use
in battery and load management applications.
G
Trench Technology
G
Ultra Low On-Resistance
G
P-Channel MOSFET
G
Available in Tape & Reel
Description
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7304 | Generation V Technology |
| IRF7306 | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7309 | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7313PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7313 | HEXFET POWER MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF7241HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-Pin SOIC |
| IRF7241PBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -40V HEXFET 41mOhms 53nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7241TR | 功能描述:MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF7241TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7241TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -40V -6.2A 41mOhm 53nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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