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參數資料
型號: IRF730AS
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-263AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 400V五(巴西)直| 5.5AI(四)|對263AB
文件頁數: 6/10頁
文件大小: 184K
代理商: IRF730AS
IRF730AS/L
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
Fig 12d.
Typical Drain-to-Source Voltage
Vs. Avalanche Current
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
700
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
BOTTOM
ID
2.5A
3.5A
5.5A
TOP
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
IAV , Avalanche Current ( A)
540
550
560
570
580
590
600
610
VD
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相關PDF資料
PDF描述
IRF730ASTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-263AB
IRF730ASTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-263AB
IRF730CHIP TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | CHIP
IRF730FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-220VAR
IRF7314Q -20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
相關代理商/技術參數
參數描述
IRF730AS/LPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET (SMPS MOSFET)
IRF730ASL 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET
IRF730ASLPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET (SMPS MOSFET)
IRF730ASPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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