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參數資料
型號: IRF730FI
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-220VAR
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 400V五(巴西)直| 3.5AI(四)|對220VAR
文件頁數: 4/10頁
文件大?。?/td> 184K
代理商: IRF730FI
IRF730AS/L
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
10
100
1000
BY R
DS(on)
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
0
5
Q , Total Gate Charge (nC)
10
15
20
25
0
4
8
12
16
20
V
G
I =
SEE FIGURE
FOR TEST CIRCUIT
13
5.5
V
= 80V
DS
V
= 200V
DS
V
= 320V
DS
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
100000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
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PDF描述
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