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參數資料
型號: IRF737LCPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數: 1/8頁
文件大小: 239K
代理商: IRF737LCPBF
www.irf.com
Lead-Free
相關PDF資料
PDF描述
IRF7380PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7404PBF HEXFET Power MOSFET
IRF740A HEXFET Power MOSFET
IRF740SPBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=400V , RDS(on)=0.55ヘ , ID=10A )
IRF7413PBF HEXFET Power MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
IRF737LCS 功能描述:MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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IRF737LCSTRR 功能描述:MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7380 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:High frequency DC-DC converters
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