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參數(shù)資料
型號(hào): IRF740D
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 400V五(巴西)直| 10A條(?。﹟ TO - 220AB現(xiàn)有
文件頁數(shù): 8/10頁
文件大?。?/td> 149K
代理商: IRF740D
IRF7343
0
10
20
30
40
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
-
G
I =
-3.1A
V
=-12V
DS
V
=-30V
DS
V
=-48V
DS
Fig 21.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 20.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
P-Channel
Fig 22.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
-
0.1
0.0001
1
10
100
0.001
0.01
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T = P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
T
(
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
1
10
100
0
240
480
720
960
1200
-VDS
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
Ciss
Coss
Crss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF740FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-220VAR
IRF740LC TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB
IRF7420 -12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
IRF7421D1 30V FETKY - MOSFET and Schottky Diode in a SO-8 package
IRF7422D2 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 4.6A I(D) | SO
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF740FI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-220VAR
IRF740HAR 制造商:HAR 功能描述:IRF740 HARRIS
IRF740L 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF740LC 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF740LCL 功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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