- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄360931 > IRF741R (THOMSON寬帶研發（北京）有限公司) Rugged-series power mosfets-N-channel PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRF741R |
| 廠商： | THOMSON寬帶研發（北京）有限公司 |
| 英文描述： | Rugged-series power mosfets-N-channel |
| 中文描述： | 堅固耐用的系列功率MOSFET的N溝道 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 46K |
| 代理商： | IRF741R |
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFBC40R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.2A I(D) | TO-220AB |
| IRFBC42R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.4A I(D) | TO-220AB |
| IRFD310R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 400MA I(D) | TO-250VAR |
| IRFD312R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-250VAR |
| IRFD320R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 500MA I(D) | TO-250VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF742 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF7420 | 功能描述:MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF7420HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 11.5A 8-Pin SOIC |
| IRF7420PBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 14mOhms 38nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7420TR | 功能描述:MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。