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參數資料
| 型號： | IRF7420PbF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 173K |
| 代理商： | IRF7420PBF |
Parameter
Max.
-20
-11.5
-9.2
-46
2.5
1.6
20
±8
Units
V
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
Drain- Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ -4.5V
Continuous Drain Current, V
GS
@ -4.5V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Junction and Storage Temperature Range
A
mW/°C
V
°C
V
GS
T
J,
T
STG
-55 to +150
8/11/04
www.irf.com
1
IRF7420PbF
HEXFET Power MOSFET
These P-Channel HEXFET
International Rectifier utilize advanced processing
techniques to achieve the extremely low on-resistance
per silicon area. This benefit provides the designer
with an extremely efficient device for use in battery
and load management applications..
Power MOSFETs from
The SO-8 has been modified through a customized
leadframe for enhanced thermal characteristics and
multiple-die capability making it ideal in a variety of
power applications. With these improvements, multiple
devices can be used in an application with dramatically
reduced board space. The package is designed for
vapor phase, infrared, or wave soldering technique
Description
Ultra Low On-Resistance
P-Channel MOSFET
Surface Mount
Available in Tape & Reel
Lead-Free
Parameter
Max.
50
Units
°C/W
R
θ
JA
Maximum Junction-to-Ambient
Thermal Resistance
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
G
S
A
D
S
S
SO-8
V
DSS
-12V
R
DS(on)
max
14m
@V
GS
= -4.5V
17.5m
@V
GS
= -2.5V
26m
@V
GS
= -1.8V
I
D
-
11.5A
-
9.8A
-
8.1A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7421D1PBF | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| IRF7433PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRF7451 | Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.09ohm, Id=3.6A) |
| IRF7452QPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7452 | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.060ohm, Id=4.5A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF7420TR | 功能描述:MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF7420TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -11.5A 14mOhm 38nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7421D1 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF7421D1_98 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:MOSFET / Schottky Diode |
| IRF7421D1PBF | 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 35mOhms 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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