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參數資料
型號: IRF7457
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=7.0mohm, Id=15A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 20V的,的Rds(on)最大值\u003d 7.0mohm,身份證\u003d 15A條)
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代理商: IRF7457
IRF7457
SMPS MOSFET
Notes
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www.irf.com
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
Gate-to-Source Voltage
I
D
@ T
A
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
A
= 70°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
Pulsed Drain Current
P
D
@T
A
= 25°C
Maximum Power Dissipation
P
D
@T
A
= 70°C
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor 0.02 W/°C
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Parameter
Max.
20
Units
V
Drain-Source Voltage
± 20 V
15
12
120
2.5
1.6
A
W
W
-55 to + 150
°C
HEXFET
Power MOSFET
V
DSS
R
DS(on)
max
20V
7.0m
Benefits
l
Ultra-Low R
DS(on)
l
Very Low Gate Impedance
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
I
D
15A
1
3/25/01
SO-8
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
D
G
S
A
S
S
A
Symbol
R
θ
JL
R
θ
JA
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
20
50
Units
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
PD- 93882D
l
High Frequency DC-DC Isolated
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial use
l
High Frequency Buck Converters for
Computer Processor Power
Applications
相關PDF資料
PDF描述
IRF7458 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=8.0mohm, Id=14A)
IRF7459PBF HEXFET Power MOSFET
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IRF7460 Power MOSFET(Vdss=20V, Id=12A)
IRF7463PBF HEXFET Power MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
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IRF7457TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7457TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 15A 7mOhm 28nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7458 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7458HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC
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