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參數資料
型號: IRF7459PBF
廠商: International Rectifier
文件頁數: 1/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
標準包裝: 4,085
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 12A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9 毫歐 @ 12A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 35nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2480pF @ 10V
功率 - 最大: 2.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SO
包裝: 管件
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