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參數資料
型號: IRF7460PBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數: 1/8頁
文件大小: 190K
代理商: IRF7460PBF
www.irf.com
1
IRF7460PbF
SMPS MOSFET
HEXFET Power MOSFET
Notes
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SO-8
Symbol
R
θ
JL
R
θ
JA
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
20
50
Units
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
Gate-to-Source Voltage
I
D
@ T
A
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
A
= 70°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
Pulsed Drain Current
P
D
@T
A
= 25°C
Maximum Power Dissipation
P
D
@T
A
= 70°C
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor 0.02 mW/°C
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Parameter
Max.
20
Units
V
Drain-Source Voltage
± 20 V
12
10
100
2.5
1.6
A
W
W
-55 to + 150
°C
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
D
G
S
A
S
S
A
V
DSS
20V
R
DS(on)
max(m
10@V
GS
= 10V
I
D
12A
Applications
High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
High Frequency Buck Converters for
Computer Processor Power
Lead-Free
Benefits
Ultra-Low Gate Impedance
Very Low R
DS(on)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
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PDF描述
IRF7466PBF SMPS MOSFET
IRF7468PBF SMPS MOSFET
IRF7469PBF SMPS MOSFET
IRF7477PBF HEXFET Power MOSFET
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參數描述
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IRF7460TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 12A 8-Pin SOIC T/R
IRF7460TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 10A 10mOhm 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRF7463HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC
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